BSS64LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 100 мА, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 36 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 120V NPN

Информация

Производитель

ONSEMI

Артикул

BSS64LT1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1162312

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В

Стиль Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

225мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

20hFE

Частота Перехода ft

60МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

120 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSS64L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

60 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.2 V

Техническая документация

Datasheet BSS64LT1G , pdf , 67 КБ
Datasheet BSS64LT1G , pdf , 70 КБ

BSS64LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 100 мА, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 36 руб.

Техническая документация