BSS64AHZGT116, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-23, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 57 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR FOR HIGH VOLT AMP

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BSS64AHZGT116

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1162311

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

100В

Стиль Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

200мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

30hFE

Частота Перехода ft

140МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.1

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

120 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

140 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

80 mV

Техническая документация

Datasheet BSS64AHZGT116 , pdf , 1407 КБ
Datasheet BSS64AHZGT116 , pdf , 1401 КБ

BSS64AHZGT116, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-23, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 57 руб.

Техническая документация