BSS606NH6327XTSA1, Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 18 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

N-канал 60V 3,2A (Ta) 1W (Ta) поверхностный монтаж PG-SOT89

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSS606NH6327XTSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2406693

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-89

Рассеиваемая Мощность

1Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

60В

Непрерывный Ток Стока

3.2А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.047Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

1.8В

Transistor Mounting

Surface Mount

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Линейка Продукции

OptiMOS 3 Series

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Максимальный непрерывный ток стока

3.2 A

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

2.5мм

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

OptiMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 C

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.1V

Base Product Number

BSS606 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3.2A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

657pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-243AA

Power Dissipation (Max)

1W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.2A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT89

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 15ВµA

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

PG-SOT-89

Материал транзистора

Кремний

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

3.7 нКл при 5 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Минимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Максимальное пороговое напряжение включения

2.3V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 411 КБ

BSS606NH6327XTSA1, Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 18 руб.

Техническая документация