ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSS214NWH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 1,5А, 500мВт, SOT323 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSS214NWH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 1,5А, 50…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
BSS214NWH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 1,5А, 500мВт, SOT323
Последняя цена
20 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Малосигнальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSS214NWH6327XTSA1
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2149699
Технические параметры
Вес, г
0.02
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2мм
Brand
Infineon
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Channel Type
N
Transistor Configuration
Одинарный
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Width
1.25мм
Pin Count
3
Серия
OptiMOS
Высота
0.8мм
Base Product Number
BSS214 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-SOT323-3
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
143pF @ 10V
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±12V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.7ВµA
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Power Dissipation
500 mW
Series
OptiMOSв„ў ->
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Transistor Material
Кремний
Channel Mode
Поднятие
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 188 КБ