BSS159NH6327XTSA2, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 230мА, 360мВт, SOT23, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 46 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSS159NH6327XTSA2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2080574

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.04

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Brand

Infineon

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

1.3 mm

Height

1mm

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Dimensions

2.9 x 1.3 x 1mm

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

SOT-23

Width

1.3mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSS159

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

2.9 mm

Высота

1.1 mm

Id - непрерывный ток утечки

230 mA

Pd - рассеивание мощности

360 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

100 mS

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

PG-SOT-23-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSS159 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Количество каналов

1 Channel

Технология

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Канальный режим

Depletion

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

230mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

39pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

360mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 160mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 26ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Power Dissipation

360 mW

Series

SIPMOS

Maximum Drain Source Resistance

8 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

1.4 nC @ 5 V

Transistor Material

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Turn-On Delay Time

3.1 ns

Typical Turn-Off Delay Time

9 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 197 КБ
Datasheet BSS159NH6327XTSA2 , pdf , 197 КБ

BSS159NH6327XTSA2, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 230мА, 360мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 46 руб.

Техническая документация