BSS138PW.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 320мА, 260/830мВт, SOT323, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 19 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Тип упаковки-Tape and Reel (лента в катушке; Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 320 мА
Корпус SC703, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 320 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 1.6 Ом

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BSS138PW.115

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2133879

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel Trench MOSFET

Вес, г

0.02

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2мм

Brand

Nexperia

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1мм

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Width

1.35mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Торговая марка

Nexperia

Id - непрерывный ток утечки

320 mA

Pd - рассеивание мощности

310 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-323-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSS138 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TA)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.6 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

900 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

320mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

260mW (Ta), 830mW (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 300mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

320 mA

Maximum Power Dissipation

310 mW

Series

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

0.72 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Qg - заряд затвора

0.72 nC

Время нарастания

3 ns

Время спада

4 ns

Типичное время задержки выключения

9 ns

Типичное время задержки при включении

2 ns

Другие названия товара №

934064987115

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet BSS138PW,115 , pdf , 900 КБ
Datasheet BSS138PW,115 , pdf , 333 КБ
Datasheet BSS138PW.115 , pdf , 714 КБ

BSS138PW.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 320мА, 260/830мВт, SOT323 - характеристики, поставщики

Последняя цена 19 руб.

Техническая документация