BSS138BKW.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 210мА, 310мВт, SOT323, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 44 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BSS138BKW.115

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2137311

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel Trench MOSFET

Вес, г

0.01

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Nexperia

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Width

1.4мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSS138BKW

Торговая марка

Nexperia

Высота

1мм

Id - непрерывный ток утечки

320 mA

Pd - рассеивание мощности

310 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-323-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSS138 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

320 mA

Максимальное рассеяние мощности

310 mW

Minimum Gate Threshold Voltage

0.48V

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.6 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

480 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

320mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

56pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

260mW (Ta), 830mW (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 320mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 250ВµA

Series

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->

Maximum Drain Source Resistance

1,6 Ω

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Qg - заряд затвора

0.6 nC

Время нарастания

5 ns

Время спада

20 ns

Типичное время задержки выключения

38 ns

Типичное время задержки при включении

5 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Техническая документация

Datasheet BSS138BKW,115 , pdf , 1581 КБ
Datasheet BSS138BKW,115 , pdf , 855 КБ
Datasheet BSS138BKW.115 , pdf , 1391 КБ

BSS138BKW.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 210мА, 310мВт, SOT323 - характеристики, поставщики

Последняя цена 44 руб.

Техническая документация