BSS127,транзистор, MOSFET N-Channel 600V 0.0, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 25 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSS127,транзистор

P/N

BSS127

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1811822

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.2

Максимальный непрерывный ток стока

21 мА

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.3мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

600 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

2.9мм

Серия

SIPMOS

Типичное время задержки выключения

14 нс

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

2.9 x 1.3 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

6,1 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

0,65 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

21 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

BSS127,транзистор, MOSFET N-Channel 600V 0.0 - характеристики, поставщики

Последняя цена 25 руб.