BSS127S-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 0,07А, 0,61/1,25Вт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7.9 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 В до 950 В, Diodes Inc.
МОП-транзисторы, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BSS127S-7

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2179993

Технические параметры

Вес, г

0.01

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Тип корпуса

SOT-23

Ширина

1.4мм

Число контактов

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Lead Shape

Gull-wing

Package Length

2.9

Package Width

1.3

PCB changed

Package Height

0.98

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

600

Maximum Power Dissipation (mW)

1250

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

SOT-23

Standard Package Name

SOT

Military

Длина

3мм

Высота

1.1мм

Размеры

3 x 1.4 x 1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

70 мА

Максимальное рассеяние мощности

1,25 W

Максимальное сопротивление сток-исток

190 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

21,8 пФ при 25 В

Тип канала

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Типичное время задержки выключения

28,7 нс

Типичное время задержки включения

5 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

1,08 нКл при 10 В

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Страна происхождения

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.07

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

160000@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

1.08@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

1.08

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

21.8@25V

Typical Fall Time (ns)

168

Typical Rise Time (ns)

7.2

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

28.7

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

4.5

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

0.1

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Maximum Diode Forward Voltage (V)

1.5

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet BSS127S-7 , pdf , 361 КБ
Datasheet BSS127S-7 , pdf , 309 КБ

BSS127S-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 0,07А, 0,61/1,25Вт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 7.9 руб.

Техническая документация