BSS123W-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,17А, 200мВт, SOT323, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 37 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 до 950 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BSS123W-7-F

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2192366

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.02

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

1.35мм

Height

1мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Lead Shape

Gull-wing

Package Length

2.15

Package Width

1.3

PCB changed

Package Height

0.95

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Power Dissipation (mW)

200

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

SOT-323

Standard Package Name

SOT

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSS123W

Тип

Enhancement Mode Field Effect Transistor

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

2.2мм

Высота

1мм

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Id - непрерывный ток утечки

170 mA

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.08 S, 0.37 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-323-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSS123 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Supplier Temperature Grade

Automotive

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Максимальное сопротивление сток-исток

10 Ом

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

29 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

170mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

200mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

170 мА

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Время нарастания

8 ns

Время спада

8 ns

Типичное время задержки выключения

13 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Типичное время задержки включения

8 нс

Категория

Малый сигнал

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

170mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

200mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 1mA

Maximum Gate Threshold Voltage

Максимальное пороговое напряжение включения

Product Category

Small Signal

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.17

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

6000@10V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

29@25V

Typical Fall Time (ns)

16(Max)

Typical Rise Time (ns)

8(Max)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

13(Max)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

8(Max)

Техническая документация

Datasheet BSS123W-7-F , pdf , 434 КБ
Datasheet BSS123W-7-F , pdf , 214 КБ
Datasheet BSS123W-7-F , pdf , 373 КБ
Datasheet , pdf , 225 КБ

BSS123W-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,17А, 200мВт, SOT323 - характеристики, поставщики

Последняя цена 37 руб.

Техническая документация