ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSR802NL6327HTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 3,7А, 500мВт, SC-59 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSR802NL6327HTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 3,7А, 500…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
BSR802NL6327HTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 3,7А, 500мВт, SC-59
Последняя цена
18 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon OptiMOS ™ 2
Infineon, семейство N-каналов
OptiMOS ™ 2
предлагает самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии в пределах своей группы напряжений. Серия Power MOSFET может использоваться во многих приложениях, включая высокочастотные телекоммуникационные системы, устройства передачи данных, солнечные батареи, низковольтные приводы и серверные источники питания. Семейство продуктов
OptiMOS 2
варьируется от 20 В и выше и предлагает выбор различных типов корпусов.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSR802NL6327HTSA1
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2171932
Технические параметры
Вес, г
0.03
Тип корпуса
SC-59
Ширина
1.1мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Серия
OptiMOS 2
Длина
3мм
Высота
1.6мм
Размеры
3 x 1.1 x 1.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Производитель
Infineon
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
3,7 А
Максимальное рассеяние мощности
0,5 Вт
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Максимальное сопротивление сток-исток
32 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1013 пФ при 10 В
Тип канала
N
Типичное время задержки выключения
26 нс
Типичное время задержки включения
9,8 нс
Категория
Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs
4,7 нКл при 2,5 В
Maximum Gate Threshold Voltage
0.75V
Прямая активная межэлектродная проводимость
16S
Прямое напряжение диода
1.1V
Техническая документация
Datasheet BSR802NL6327HTSA1 , pdf
, 413 КБ