ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSP92P, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSP92P, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSP92P, Транзистор
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Описание
Полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon SIPMOS®
Малые сигнальные МОП-транзисторы с P-каналом SIPMOS ® имеют несколько функций, которые могут включать режим улучшения, непрерывный ток стока, -80А плюс широкий диапазон рабочих температур. Силовой транзистор SIPMOS может использоваться в различных приложениях, включая телекоммуникации, электронную мобильность, ноутбуки, устройства постоянного и постоянного тока, а также в автомобильной промышленности.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSP92P
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1804456
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOT-223
Transistor Material
Si
Length
6.5mm
Brand
Infineon
Series
SIPMOS
Pin Count
3 + Tab
Typical Gate Charge @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
260 mA
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.5mm
Height
1.6mm
Maximum Drain Source Resistance
20 Ω
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
