ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSP603S2L, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSP603S2L, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSP603S2L, Транзистор
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSP603S2L
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1808824
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5.2 A
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.5мм
Высота
1.6мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
33 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
6.5мм
Серия
OptiMOS
Типичное время задержки выключения
28 ns
Тип корпуса
SOT-223
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10,8 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Число контактов
3+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
31 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1034 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
