BSP19,115, Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 100 мА, 1.2 Вт, SOT-223, Surface Mount, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• Слаботочные
• Дополнение PNP - BSP16

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BSP19,115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1162231

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

350В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

1.2Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

40hFE

Частота Перехода ft

70МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.01

Base Product Number

BSP19 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

20nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

70MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

1.2W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

350V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,5 В

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Collector Base Voltage

400 В

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Nexperia

Maximum Power Dissipation

1,2 Вт

Maximum DC Collector Current

100 мА

Dimensions

1.7 x 6.7 x 3.7мм

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Pd - Power Dissipation

1.2W

Максимальное напряжение коллектор-база

400 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

1.7 x 6.7 x 3.7мм

Pd - рассеивание мощности

1200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.7мм

Длина

6.7мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

40 at 20 mA, 10 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

400 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

350 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-223-3

Ширина

3.7мм

Другие названия товара №

933983400115

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

40 at 20 mA, 10 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

70 MHz

Технология

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,2 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

350 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

70 МГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-223 (SC-73)

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

-40

Техническая документация

Datasheet BSP19,115 , pdf , 270 КБ
Datasheet BSP19.115 , pdf , 176 КБ
Datasheet BSP19,115 , pdf , 96 КБ

BSP19,115, Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 100 мА, 1.2 Вт, SOT-223, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация