ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSO040N03MSGXUMA1, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 30 В, 0.0033 Ом, 10 В, 2 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSO040N03MSGXUMA1, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 30 В, 0.0033 Ом, 10…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSO040N03MSGXUMA1, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 30 В, 0.0033 Ом, 10 В, 2 В
Последняя цена
290 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSO040N03MSGXUMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1162196
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Ширина
3.9 mm
Высота
1.75 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
20 A
Pd - рассеивание мощности
2.5 W
Qg - заряд затвора
55 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
9 ns
Время спада
9 ns
Длина
4.9 mm
Другие названия товара №
BSO040N03MS G SP000446070
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
OptiMOS
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
38 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
OptiMOS 3M
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
24 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SO-8
Чувствительный к влажности
Yes