BSN20Q-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 50В, 0,3А, 0,6Вт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 40 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS:

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BSN20Q-7

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2175256

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Surface Mount

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Торговая марка

Diodes Incorporated

Id - непрерывный ток утечки

500 mA

Pd - рассеивание мощности

920 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

50 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-23-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSN20 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.3 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

400 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

500mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

600mW (Ta), 920mW (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 220mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Qg - заряд затвора

800 pC

Время нарастания

2.99 ns

Время спада

8.3 ns

Типичное время задержки выключения

9.45 ns

Типичное время задержки при включении

2.93 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 10V

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 430 КБ
Datasheet BSN20Q-7 , pdf , 179 КБ

BSN20Q-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 50В, 0,3А, 0,6Вт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 40 руб.

Техническая документация