BSN20BKR, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 170мА, 402мВт, SOT23, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 37 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BSN20BKR

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2117092

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel Trench MOSFET

Вес, г

0.05

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3мм

Brand

Nexperia

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1мм

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

SOT-23

Width

1.4мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSN20BK

Торговая марка

Nexperia

Высота

1мм

Id - непрерывный ток утечки

265 mA

Pd - рассеивание мощности

402 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-23-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Технология

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.8 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

600 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

265mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

20.2pF @ 30V

Power Dissipation (Max)

310mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 200mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

330 мА

Maximum Power Dissipation

1.67 W

Maximum Drain Source Resistance

2.8 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

0.49 nC @ 4.5 V

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Forward Diode Voltage

1.2V

Qg - заряд затвора

0.49 nC

Время нарастания

8.4 ns

Время спада

5.1 ns

Типичное время задержки выключения

12.5 ns

Типичное время задержки при включении

7.9 ns

Другие названия товара №

934068054215

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.49nC @ 4.5V

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Прямое напряжение диода

1.2V

Техническая документация

Datasheet BSN20BKR , pdf , 276 КБ
Datasheet BSN20BKR , pdf , 733 КБ
Datasheet BSN20BKR , pdf , 734 КБ
Datasheet , pdf , 317 КБ

BSN20BKR, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 170мА, 402мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 37 руб.

Техническая документация