BSM600C12P3G201, Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Канал, 600 А, 1.2 кВ, Module, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 134710 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IGBT Modules 1200V Vdss;576A ID SiC Mod;SICSTD02

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BSM600C12P3G201

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1162191

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Рассеиваемая Мощность

2.46кВт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

600А

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Вес, г

280

MOSFET Configuration

Chopper

Минимальная рабочая температура

40 C

Base Product Number

BSM600 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

600A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

175В°C (TJ)

Package

Tray

Package / Case

Module

Power Dissipation (Max)

2460W (Tc)

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+22V, -4V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 182mA

Pd - рассеивание мощности

1570 W

Вид монтажа

Screw

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным зат

Конфигурация

Single

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Технология

SiC

Тип продукта

IGBT Modules

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Продукт

IGBT Silicon Carbide Modules

Упаковка

Tray

Техническая документация

Datasheet BSM600C12P3G201 , pdf , 922 КБ
Datasheet BSM600C12P3G201 , pdf , 951 КБ

BSM600C12P3G201, Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Канал, 600 А, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 134710 руб.

Техническая документация