BSM400D12P3G002, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 400 А, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

BSM400D12P3G002, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 400 А, 1.2 кВ, Module

Сравнить

Производитель

Rohm

Артикул

BSM400D12P3G002

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1162190

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Рассеиваемая Мощность

1.57кВт

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

400А

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Вес, г

280

MOSFET Configuration

Half Bridge