BSM400D12P2G003, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 400 А, 1.2 кВ, Module, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 240570 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Mosfet Array 2, N-канал (полумост), 1200 В (1,2 кВ), 400 А (Tc), 2450 Вт (Tc), модуль

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BSM400D12P2G003

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1162189

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Рассеиваемая Мощность

2.45кВт

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

400А

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Вес, г

280

MOSFET Configuration

Half Bridge

Base Product Number

BSM400 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

400A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Half Bridge)

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

38000pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

Module

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 85mA

FET Feature

Silicon Carbide (SiC)

Power - Max

2450W (Tc)

Техническая документация

Datasheet BSM400D12P2G003 , pdf , 788 КБ

BSM400D12P2G003, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 400 А, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 240570 руб.

Техническая документация