BSD316SNH6327XTSA1, Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 6.6 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

МОП-транзистор SMALL SIGNAL N-CH

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSD316SNH6327XTSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2411875

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Ширина

1.25 mm

Высота

0.9 mm

Series

OptiMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

BSD316 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.4A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

94pF @ 15V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.4A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT363-6

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 3.7ВµA

Id - непрерывный ток утечки

1.4 A

Pd - рассеивание мощности

500 mW (1/2 W)

Qg - заряд затвора

600 pC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

120 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

2.3 ns

Время спада

1 ns

Длина

2 mm

Другие названия товара №

BSD316SN H6327 SP000917668

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.3 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSD316

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

5.8 ns

Типичное время задержки при включении

3.4 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-363-6

Техническая документация

Datasheet , pdf , 418 КБ
Datasheet , pdf , 432 КБ

BSD316SNH6327XTSA1, Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 6.6 руб.

Техническая документация