BSD235NH6327XTSA1, Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 9.4 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon OptiMOS ™ 2
Infineon, семейство N-каналов OptiMOS ™ 2 предлагает самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии в пределах своей группы напряжений. Серия Power MOSFET может использоваться во многих приложениях, включая высокочастотные телекоммуникационные системы, устройства передачи данных, солнечные батареи, низковольтные приводы и серверные источники питания. Семейство продуктов OptiMOS 2 варьируется от 20 В и выше и предлагает выбор различных типов корпусов.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSD235NH6327XTSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2399680

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-363 (SC-88)

Ширина

1.25 mm

Высота

0.8мм

Transistor Material

Кремний

Length

2мм

Brand

Infineon

Series

OptiMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

0.32 nC @ 4.5 V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Base Product Number

BSD235 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

950mA

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.32nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

63pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT363-6

Technology

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1.6ВµA

FET Feature

Logic Level Gate

Power - Max

500mW

Id - непрерывный ток утечки

950 mA

Pd - рассеивание мощности

500 mW

Qg - заряд затвора

320 mC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

266 mOhms, 415 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

12 V, + 12 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

950 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

3.6 ns, 3.6 ns

Время спада

1.2 ns, 1.2 ns

Длина

2 mm

Другие названия товара №

BSD235N H6327 SP000917652

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2 S, 2 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

OptiMOS 2

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 N-Channel

Типичное время задержки выключения

4.5 ns, 4.5 ns

Типичное время задержки при включении

3.8 ns, 3.8 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-363-6

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Rds On - Drain-Source Resistance

266 mOhms, 266 mOhms

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20 V

Vgs - Gate-Source Voltage

12 V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

950 мА

Maximum Power Dissipation

500 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.25мм

Height

0.9 mm

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Квалификация

AEC-Q101

Configuration

Dual

Packaging

Cut Tape or Reel

Product Category

MOSFET

Typical Turn-On Delay Time

3.8 ns, 3.8 ns

Typical Turn-Off Delay Time

4.5 ns, 4.5 ns

Factory Pack Quantity

3000

Fall Time

1.2 ns, 1.2 ns

Forward Transconductance - Min

2 S, 2 S

Id - Continuous Drain Current

950 mA

Manufacturer

Infineon

Mounting Style

SMD/SMT

Number Of Channels

2 Channel

Pd - Power Dissipation

500 mW (1/2 W)

Product Type

MOSFET

Qg - Gate Charge

320 pC, 320 pC

Rise Time

3.6 ns, 3.6 ns

Subcategory

MOSFETs

Transistor Type

2 N-Channel

Unit Weight

0.000265 oz

Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage

700 mV

Part # Aliases

BSD235N H6327 SP000917652

Qualification

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet BSD235NH6327XTSA1 , pdf , 446 КБ
Datasheet , pdf , 447 КБ
Datasheet , pdf , 139 КБ

BSD235NH6327XTSA1, Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 9.4 руб.

Техническая документация