BSC900N20NS3 G, Электроэлемент, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 380 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC900N20NS3 G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1743400

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.1

Ширина

5.15 mm

Высота

1.27 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

15.2 A

Pd - рассеивание мощности

62.5 W

Qg - заряд затвора

9 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

77 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

4 ns

Время спада

3 ns

Длина

5.9 mm

Другие названия товара №

BSC9N2NS3GXT SP000781780 BSC900N20NS3GATMA1

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

8 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

5000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

10 ns

Типичное время задержки при включении

5 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-TDSON-8

Техническая документация

Datasheet BSC900N20NS3 G , pdf , 310 КБ

BSC900N20NS3 G, Электроэлемент - характеристики, поставщики

Последняя цена 380 руб.

Техническая документация