BSC196N10NSGATMA1 транзистор, N-Channel MOSFET, 45 A, 100 V, 8-Pin TDSON, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 80 руб.

Сравнить

Описание

Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon OptiMOS ™ 2
Infineon, семейство N-каналов OptiMOS ™ 2 предлагает самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии в пределах своей группы напряжений. Серия Power MOSFET может использоваться во многих приложениях, включая высокочастотные телекоммуникационные системы, устройства передачи данных, солнечные батареи, низковольтные приводы и серверные источники питания. Семейство продуктов OptiMOS 2 варьируется от 20 В и выше и предлагает выбор различных типов корпусов.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC196N10NSGATMA1 транзистор

P/N

BSC196N10NSGATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1745545

Технические параметры

Вес, г

0.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TDSON

Высота

1.1мм

Transistor Material

Кремний

Length

6.1мм

Brand

Infineon

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

OptiMOS 2

Transistor Configuration

Одинарный

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Power Dissipation

78 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.35mm

Maximum Drain Source Resistance

16.7 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Техническая документация

Datasheet BSC196N10NSGATMA1 , pdf , 660 КБ

BSC196N10NSGATMA1 транзистор, N-Channel MOSFET, 45 A, 100 V, 8-Pin TDSON - характеристики, поставщики

Последняя цена 80 руб.

Техническая документация