BSC123N08NS3 G, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 250 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC123N08NS3 G

P/N

BSC123N08NS3G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1808247

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.172

Максимальный непрерывный ток стока

55 А

Максимальное рассеяние мощности

66 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.1мм

Высота

1.1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

5.35мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

19 нс

Тип корпуса

TDSON

Размеры

5.35 x 6.1 x 1.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

12 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1430 пФ при 40 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet BSC123N08NS3GATMA1 , pdf , 590 КБ
Datasheet , pdf , 588 КБ

BSC123N08NS3 G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 250 руб.

Техническая документация