BSC093N04LS G, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 138 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC093N04LS G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1818392

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TDSON

Transistor Material

Length

6.35mm

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 3

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

8.6 nC @ 4.5 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

49 A

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.35mm

Height

1.1mm

Maximum Drain Source Resistance

13.7 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Dimensions

6.35 x 5.35 x 1.1mm

Typical Turn-On Delay Time

3.6 ns

Typical Turn-Off Delay Time

16 ns

BSC093N04LS G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 138 руб.