ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSC070N10NS3G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSC070N10NS3G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSC070N10NS3G, Транзистор
Последняя цена
258 руб.
Сравнить
Описание
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSC070N10NS3G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1819232
Технические параметры
Вес, г
0.2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TDSON
Transistor Material
Si
Length
6.1mm
Brand
Infineon
Series
OptiMOS 3
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Power Dissipation
156 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.35mm
Height
1.1mm
Maximum Drain Source Resistance
8.6 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
1.2V
Forward Transconductance
96s
Dimensions
6.1 x 5.35 x 1.1mm
Typical Turn-On Delay Time
16 ns
Typical Turn-Off Delay Time
41 ns
Category
Power MOSFET
Typical Input Capacitance @ Vds
4500 pF @ 50 V
Техническая документация
Datasheet BSC070N10NS3 G , pdf
, 419 КБ
