BSC052N03LSATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 30В, 17А, 28Вт, PG-TDSON-8, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC052N03LSATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2179920

Технические параметры

Вес, г

0.23

Тип корпуса

TDSON

Ширина

5.35мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

OptiMOS

Длина

6.1мм

Высота

1.1мм

Размеры

6.1 x 5.35 x 1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

57 А

Максимальное рассеяние мощности

28 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Максимальное сопротивление сток-исток

7,2 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

770 пФ при 15 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

13 ns

Типичное время задержки включения

2,4 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

12 nC @ 10 V

Maximum Gate Threshold Voltage

BSC052N03LSATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 30В, 17А, 28Вт, PG-TDSON-8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.