ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSC042N03LS G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSC042N03LS G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSC042N03LS G, Транзистор
Последняя цена
199 руб.
Сравнить
Описание
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSC042N03LS G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1816269
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TDSON
Transistor Material
Si
Length
5.35mm
Brand
Infineon
Series
OptiMOS 3
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
93 A
Maximum Power Dissipation
57 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.1mm
Height
1.1mm
Maximum Drain Source Resistance
6.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N