BSC039N06NS, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 350 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 5

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC039N06NS

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1819429

Технические параметры

Вес, г

0.151

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.1mm

Brand

Infineon

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Dimensions

6.1 x 5.35 x 1.1mm

Channel Type

Transistor Configuration

Single

Package Type

TDSON

Width

5.35mm

Pin Count

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Power Dissipation

69 W

Series

OptiMOS 5

Maximum Drain Source Resistance

5.9 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

27 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Forward Diode Voltage

1.2V

Typical Turn-On Delay Time

12 ns

Typical Turn-Off Delay Time

20 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1314 КБ

BSC039N06NS, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 350 руб.

Техническая документация