BSC030P03NS3GAUMA1, Транзистор P-MOSFET 30В 25.4/100A TDSON-8, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

Силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ с P-каналом
Силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ с P-каналом разработаны для обеспечения расширенных функций и качественных характеристик. Характеристики включают сверхнизкие коммутационные потери, сопротивление в открытом состоянии, лавинные характеристики, а также квалификацию AEC для автомобильных решений. Применения включают DC-DC, управление двигателями, автомобилестроение и eMobility.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC030P03NS3GAUMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1739934

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное рассеяние мощности

125 W

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

5.35мм

Высота

1.1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

4,6 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Прямое напряжение диода

1.1V

Длина

6.1мм

Серия

OptiMOS P

Типичное время задержки выключения

98 ns

Тип корпуса

TDSON

Размеры

6.1 x 5.35 x 1.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

27 нс

Производитель

Infineon

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

10500 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

93с

BSC030P03NS3GAUMA1, Транзистор P-MOSFET 30В 25.4/100A TDSON-8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.