BSC027N04LS G, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 155 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC027N04LS G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1816969

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

100 А

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

5.35мм

Высота

1.1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

4,1 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.35мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

39 нс

Тип корпуса

TDSON

Размеры

6.35 x 5.35 x 1.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

9,8 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

64 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

5100 пФ при 20 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet BSC027N04LSGATMA1 , pdf , 377 КБ

BSC027N04LS G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 155 руб.

Техническая документация