ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSC027N04LS G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSC027N04LS G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSC027N04LS G, Транзистор
Последняя цена
155 руб.
Сравнить
Описание
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSC027N04LS G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1816969
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
100 А
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5.35мм
Высота
1.1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
4,1 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
6.35мм
Серия
OptiMOS 3
Типичное время задержки выключения
39 нс
Тип корпуса
TDSON
Размеры
6.35 x 5.35 x 1.1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9,8 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
64 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
5100 пФ при 20 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet BSC027N04LSGATMA1 , pdf
, 377 КБ