BSC025N03MSGATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 30В, 23А, 83Вт, PG-TDSON-8, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 60 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC025N03MSGATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2131898

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.23

Ширина

5.15 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

5000

Серия

OptiMOS 3M

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

5.9 mm

Высота

1.27 mm

Id - непрерывный ток утечки

40 A

Pd - рассеивание мощности

35 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

28 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TDSON-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6.7 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

27 nC

Время нарастания

3 ns

Время спада

2.4 ns

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Типичное время задержки выключения

18 ns

Типичное время задержки при включении

4.3 ns

Другие названия товара №

BSC025N03MS G SP000311505

Техническая документация

Datasheet BSC025N03MSGATMA1 , pdf , 1048 КБ
Datasheet BSC025N03MSGATMA1 , pdf , 195 КБ

BSC025N03MSGATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 30В, 23А, 83Вт, PG-TDSON-8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 60 руб.

Техническая документация