BSC025N03LSGATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 100А, 83Вт, PG-TDSON-8, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 280 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC025N03LSGATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2113791

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.14

Ширина

5.15 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

5000

Серия

OptiMOS 3

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

5.9 mm

Высота

1.27 mm

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

83 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

55 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TDSON-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.1 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

74 nC

Время нарастания

6.2 ns

Время спада

6 ns

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Типичное время задержки выключения

36 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Другие названия товара №

BSC025N03LS BSC25N3LSGXT G SP000269781

Техническая документация

Datasheet BSC025N03LSGATMA1 , pdf , 385 КБ

BSC025N03LSGATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 100А, 83Вт, PG-TDSON-8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 280 руб.

Техническая документация