BSC024NE2LSATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 25В, 25А, 48Вт, PG-TDSON-8, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC024NE2LSATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2138294

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.23

Тип корпуса

TDSON

Ширина

6.35мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

5000

Серия

OptiMOS

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

5.35мм

Высота

1.1мм

Размеры

5.35 x 6.35 x 1.1мм

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

48 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

25 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

55 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TDSON-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное рассеяние мощности

48 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Максимальное сопротивление сток-исток

3,4 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1700 пФ при 12 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.2 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

23 nC

Время нарастания

3.6 ns

Время спада

2.6 ns

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Типичное время задержки выключения

19 ns

Типичное время задержки при включении

4.1 ns

Типичное время задержки включения

4,1 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

11 nC @ 4.5 V

Другие названия товара №

BSC024NE2LS BSC24NE2LSXT SP000756342

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet BSC024NE2LSATMA1 , pdf , 1626 КБ

BSC024NE2LSATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 25В, 25А, 48Вт, PG-TDSON-8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация