BSC020N03MSGATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 30В, 25А, 96Вт, PG-TDSON-8, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 75 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC020N03MSGATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2171770

Технические параметры

Вес, г

0.23

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.35mm

Brand

Infineon

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Channel Type

Transistor Configuration

Single

Package Type

TDSON

Width

6.1mm

Pin Count

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Power Dissipation

96 W

Series

OptiMOS 3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

93 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet BSC020N03MSGATMA1 , pdf , 457 КБ

BSC020N03MSGATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 30В, 25А, 96Вт, PG-TDSON-8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 75 руб.

Техническая документация