BS270, Транзистор: N-MOSFET; 60В; 400мА; 625мВт; TO92, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8.9 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Channel МОП-транзистор

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BS270

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1161982

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.1

Тип корпуса

TO-92

Mounting Type

Through Hole

Ширина

3.93мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

10000

Серия

BS270

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

4.7мм

Высота

4.7мм

Размеры

4.7 x 3.93 x 4.7мм

Id - непрерывный ток утечки

400 mA

Pd - рассеивание мощности

625 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.32 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-92-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BS270 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Упаковка

Bulk

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

400 мА

Максимальное рассеяние мощности

0.625 W

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

3.5 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

20 pF @ 25 V

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

400mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

625mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250ВµA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 537 КБ
Datasheet , pdf , 482 КБ

BS270, Транзистор: N-MOSFET; 60В; 400мА; 625мВт; TO92 - характеристики, поставщики

Последняя цена 8.9 руб.

Техническая документация