BS170D26Z, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 500мА, 830мВт, TO92, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7.7 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch Enhancement Mode Field Effect

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BS170-D26Z

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2131484

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Brand

ON Semiconductor

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.19 mm

Height

5.33мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Package Type

TO-92

Width

4.19мм

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2000

Серия

BS170

Тип

FET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

5.2мм

Высота

5.33 mm

Размеры

5.2 x 4.19 x 5.33мм

Id - непрерывный ток утечки

500 mA

Pd - рассеивание мощности

830 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.32 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-92-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BS170 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Упаковка

Reel, Cut Tape

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.2 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

500mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

830mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

350 мВт

Другие названия товара №

BS170_D26Z

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

500mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

830mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 1mA

Техническая документация

Datasheet BS170-D26Z , pdf , 134 КБ
Datasheet , pdf , 62 КБ

BS170D26Z, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 500мА, 830мВт, TO92 - характеристики, поставщики

Последняя цена 7.7 руб.

Техническая документация