BS107PSTZ, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 0,12А, 0,5Вт, TO92, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Chnl 200V

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BS107PSTZ

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2143412

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.5

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2000

Серия

BS107

Тип

FET

Торговая марка

Diodes Incorporated

Id - непрерывный ток утечки

120 mA

Pd - рассеивание мощности

500 mW (1/2 W)

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-92-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Упаковка

Bulk

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

15 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Техническая документация

Datasheet BS107PSTZ , pdf , 26 КБ

BS107PSTZ, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 0,12А, 0,5Вт, TO92 - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация