BS107P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 0,12А, 0,5Вт, TO92, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Chnl 200V

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BS107P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2101974

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.16

Mounting Type

Through Hole

Ширина

2.41 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

BS107

Тип

FET

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

4.77 mm

Высота

4.01 mm

Id - непрерывный ток утечки

120 mA

Pd - рассеивание мощности

500 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

100 mS

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-92-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BS107 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Упаковка

Bulk

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

30 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

120mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.6V, 5V

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30Ohm @ 100mA, 5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Время нарастания

8 ns

Время спада

8 ns

Типичное время задержки выключения

16 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

120mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

500mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 648 КБ
Datasheet BS107P , pdf , 624 КБ
Datasheet , pdf , 653 КБ

BS107P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 0,12А, 0,5Вт, TO92 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация