Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить


Биполярные (BJTs)

2SA1492, Транзистор PNP 180В 15А [TO-3P]
2SA1492, Транзистор PNP 180В 15А [TO-3P]
Производитель: Sanken Electric, 2SA1492
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 180
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 130
Корпус mt-100(to3p)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 20

Биполярный (BJT) транзистор PNP 180V 15A 20MHz 130W Through Hole TO-3P

2SA1413-Z-E1, Транзистор PNP 600В 1A 10Вт 28МГц [TO-252]
2SA1413-Z-E1, Транзистор PNP 600В 1A 10Вт 28МГц [TO-252]
Производитель: NEC, 2SA1413-Z-E1
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 600
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 120
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 10
Корпус dpak(to-252)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 20

2SA1386A, Транзистор PNP 180В 15А [TO-3P]
2SA1386A, Транзистор PNP 180В 15А [TO-3P]
Производитель: Sanken Electric, 2SA1386A

2SA1381, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-0.1А, Vceo=-300В, Vcbo=-300В, Pd=1.2Вт , hFE= 40…120 [TO-126]
2SA1381, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-0.1А, Vceo=-300В, Vcbo=-300В, Pd=1.2Вт , hFE= 40…120 [TO-126]
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SA1381
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…320
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 7
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150

2SA1380-E, Транзистор PNP 200В 0.1А [TO-126]
2SA1380-E, Транзистор PNP 200В 0.1А [TO-126]
Производитель: Китай, 2SA1380-E
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 5
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150

2SA1371, Транзистор PNP 300В 0.1А [TO-92MOD] (формованные выводы)
2SA1371, Транзистор PNP 300В 0.1А [TO-92MOD] (формованные выводы)
Производитель: Sanyo, 2SA1371
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 280
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150

2SA1370, PNP биполярный транзистор, видеоусилители ТВ
2SA1370, PNP биполярный транзистор, видеоусилители ТВ
Производитель: Sanyo, 2SA1370
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150

2SA1360, Транзистор PNP 150В 50мА 5Вт [TO-126F]
2SA1360, Транзистор PNP 150В 50мА 5Вт [TO-126F]
Производитель: Toshiba, 2SA1360
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80…240
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 5
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200

2SA1360, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-0.05А, Vceo=-150В, Vcbo=-150В, Pd=5Вт [TO-126]
2SA1360, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-0.05А, Vceo=-150В, Vcbo=-150В, Pd=5Вт [TO-126]
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SA1360
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80…240
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 5
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200

2SA1358, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-1А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=10Вт, hFE= 80…240 [TO-126]
2SA1358, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-1А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=10Вт, hFE= 80…240 [TO-126]
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SA1358
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80…240
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 10
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 120