2SC3421, Транзистор биполярный, NPN, Ic=1А, Vceo=120В, Vcbo=120В, Pd=10Вт [TO-126]
![2SC3421, Транзистор биполярный, NPN, Ic=1А, Vceo=120В, Vcbo=120В, Pd=10Вт [TO-126]](/file/p_img/1749437.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SC3421
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 10 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 120 |
2SC3420-GR, Транзистор NPN 40 В 5 А [2-8H1A]
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 40 В 5 А [2-8H1A]](/file/p_img/1749436.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SC3420-GR
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 33 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 10 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 80 |
2SC3357, Радиочастотный биполярный транзистор, NPN, Ic=0.1А, Vceo=12В, Pd=1.2Вт, Ft=6.5ГГц, [SOT-89]
![2SC3357, Радиочастотный биполярный транзистор, NPN, Ic=0.1А, Vceo=12В, Pd=1.2Вт, Ft=6.5ГГц, [SOT-89]](/file/p_img/1749435.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SC3357
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.2 |
Корпус | SOT-89 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 6.5 |
2SC3357, Транзистор NPN 12 В 0.1 А [SOT-89]
![2SC3357, Транзистор NPN 12 В 0.1 А [SOT-89]](/file/p_img/1749434.jpg)
Производитель: Китай, 2SC3357
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
Корпус | SOT-89 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 6500 |
2SC3356-S, Транзистор биполярный, NPN, Ic=0.1А, Vceo=12В, fT=7ГГц [SOT-23]
![2SC3356-S, Транзистор биполярный, NPN, Ic=0.1А, Vceo=12В, fT=7ГГц [SOT-23]](/file/p_img/1749433.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SC3356-S
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30…300 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 7000 |
2SC3355, Транзистор NPN 12 В 0.1 А [TO-92]
![2SC3355, Транзистор NPN 12 В 0.1 А [TO-92]](/file/p_img/1749432.jpg)
Производитель: NEC, 2SC3355
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.6 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 6500 |
2SC3331, Транзистор NPN 50 В 0.2 А [TO-92]
![2SC3331, Транзистор NPN 50 В 0.2 А [TO-92]](/file/p_img/1749431.jpg)
Производитель: Sanyo, 2SC3331
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 48 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.5 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
2SC3330
Производитель: Sanyo
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 48 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
Корпус | to92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
2SC3320, Транзистор биполярный, NPN, Ic=15А, Vceo=400В, Vcbo=500В, Pd=80Вт , hFE= =10 [TO-3PN]
![2SC3320, Транзистор биполярный, NPN, Ic=15А, Vceo=400В, Vcbo=500В, Pd=80Вт , hFE= =10 [TO-3PN]](/file/p_img/1749429.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SC3320
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 80 |
Корпус | TO-3PN |
2SC3281, Транзистор биполярный, NPN, Ic=15А, Vceo=200В, Vcbo=200В, Pd=150Вт , hFE= 55…160 [TO-3PL]
![2SC3281, Транзистор биполярный, NPN, Ic=15А, Vceo=200В, Vcbo=200В, Pd=150Вт , hFE= 55…160 [TO-3PL]](/file/p_img/1749428.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SC3281
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 200 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 55…160 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 150 |
Корпус | to-3pl |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |