EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

BC558C, Транзистор PNP 30В 100мА 500мВт [TO-92]
BC558C, Транзистор PNP 30В 100мА 500мВт [TO-92]
Производитель: Китай, BC558C
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420…800
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.5
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150

BC558C
BC558C
Производитель: ON Semiconductor
Структура pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 600
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.62
Корпус to92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150

BC558BTA, Транзистор PNP 30В 0.1А [TO-92 Formed Leads]
BC558BTA, Транзистор PNP 30В 0.1А [TO-92 Formed Leads]
Производитель: ON Semiconductor, BC558BTA

BC558, Транзистор, PNP, 30В, 0,1А [TO-92]
BC558, Транзистор, PNP, 30В, 0,1А [TO-92]
Производитель: NTE Electronics, BC558

Биполярный (BJT) транзистор PNP 30V 100mA 150MHz 500mW Through Hole TO-92-3

BC557C, Транзистор PNP 45В 0.1А 0.6Вт [TO-92-formed]
BC557C, Транзистор PNP 45В 0.1А 0.6Вт [TO-92-formed]
Производитель: Китай, BC557C
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420…800
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.5
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150

PNP транзистор общего примененияХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE …

BC557BTA, Транзистор PNP 45В 0.1А 0.5Вт, [TO-92]
BC557BTA, Транзистор PNP 45В 0.1А 0.5Вт, [TO-92]
Производитель: ON Semiconductor, BC557BTA
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…450
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.5
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150

Малосигнальные транзисторы PNP, 40–50 В, Fairchild Semiconductor

BC557B, Транзистор PNP 45В 0.1А 0.5Вт [TO-92] (obs)
BC557B, Транзистор PNP 45В 0.1А 0.5Вт [TO-92] (obs)
Производитель: NXP Semiconductor, BC557B
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…450
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.5
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150

BC557 TO92, Транзистор
Производитель: NXP Semiconductor, BC557 TO92
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.5
Корпус to92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150

BC556B.112, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.5Вт [TO-92]
BC556B.112, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.5Вт [TO-92]
Производитель: NXP Semiconductor, BC556B.112
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…450
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.5
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150

BC556BTA, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.5Вт, [TO-92 Ammo]
BC556BTA, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.5Вт, [TO-92 Ammo]
Производитель: ON Semiconductor, BC556BTA
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…450
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.5
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150

Биполярный (BJT) транзистор PNP 65V 100mA 150MHz 500mW Through Hole TO-92-3