КТ117Б никель, Транзистор однопереходной с N-базой малой мощности [металл]
![КТ117Б никель, Транзистор однопереходной с N-базой малой мощности [металл]](/file/p_img/1776221.jpg)
Производитель: Россия, КТ117Б никель
| Структура | n-база |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 0.65…0.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
| Корпус | кт-1-7(to-18) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 0.2 |
КТ117Б, Транзистор однопереходной с N-базой малой мощности [металл]
![КТ117Б, Транзистор однопереходной с N-базой малой мощности [металл]](/file/p_img/1776220.jpg)
Производитель: Россия, КТ117Б
| Структура | n-база |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 0.65…0.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
| Корпус | кт-1-7(to-18) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 0.2 |
КТ117А никель, Транзистор однопереходной с N-базой малой мощности [металл]
![КТ117А никель, Транзистор однопереходной с N-базой малой мощности [металл]](/file/p_img/1776219.jpg)
Производитель: Россия, КТ117А никель
| Структура | n-база |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 0.5…0.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
| Корпус | кт-1-7(to-18) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 0.2 |
КТ117А, Транзистор однопереходной с N-базой малой мощности [металл]
![КТ117А, Транзистор однопереходной с N-базой малой мощности [металл]](/file/p_img/1776218.jpg)
Производитель: Россия, КТ117А
| Структура | n-база |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 0.5…0.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
| Корпус | кт-1-7(to-18) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 0.2 |
KST4401MTF, Транзистор NPN 40V 0.6A [SOT-23-3]
Производитель: ON Semiconductor, KST4401MTF
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,35 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |
KSR1003
Производитель: Samsung Electronics
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.5 |
| Корпус | to92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 120 |
KSP44BU, Транзистор, NPN, 400В, 300мА [TO-92]
![KSP44BU, Транзистор, NPN, 400В, 300мА [TO-92]](/file/p_img/1776185.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, KSP44BU
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.3 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
| Корпус | to-92 |
Высоковольтные NPN-транзисторы, Fairchild Semiconductor
KSP2907ATA, Транзистор PNP 60В 0.6А, [TO-92] (=2N2907A)
![KSP2907ATA, Транзистор PNP 60В 0.6А, [TO-92] (=2N2907A)](/file/p_img/1776184.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, KSP2907ATA
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
KSP42TA, Транзистор NPN 300В 0.5А, (=MPSA42), [TO-92]
![KSP42TA, Транзистор NPN 300В 0.5А, (=MPSA42), [TO-92]](/file/p_img/1776183.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, KSP42TA
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 300 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
Высоковольтные NPN-транзисторы, Fairchild Semiconductor