PBSS4041PT, Транзистор
Производитель: NXP Semiconductor, PBSS4041PT
PBSS4041PT - это прорывной малосигнальный (BISS) PNP-транзистор на 2,7 А в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа. •…
MMPQ3904, Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 1 Вт, 200 мА, 30 hFE, SOIC
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMPQ3904
MMPQ3904 - это многочиповая матрица биполярных транзисторов NPN, разработанная как усилитель и переключатель общего назначения. Полезный динамич…
MMPQ2222A, Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 1 Вт, 500 мА, 100 hFE, SOIC
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMPQ2222A
Dual, amp; Quad Multi-Chip Transistors, Fairchild Semiconductor
BC846W,115, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 65 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 450 hFE [SOT-323]
![BC846W,115, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 65 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 450 hFE [SOT-323]](/file/p_img/1809387.jpg)
Производитель: Nexperia, BC846W,115
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
PUMD3, Массив биполярных транзисторов, BRT, NPN, PNP, 50 В, 200 мВт, 100 мА, 30 hFE, SOT-363
Производитель: NXP Semiconductor, PUMD3
• Встроенные резисторы смещения • Упрощает конструкцию схемы • Уменьшает количество компонентов • Двойное дополнение PNP PUMB11
FZT600, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 140 В, 250 МГц, 2 Вт, 2 А, 20000 hFE
Производитель: Diodes Incorporated, FZT600
• Гарантированный параметр hFE указан до 1А• Транзистор поверхностного монтажа
BC846AS-7
Производитель: Diodes Incorporated
Массив биполярных (BJT) транзисторов 2 NPN (Dual) 65 В 100 мА 100 МГц 200 мВт для поверхностного монтажа SOT-363
DTA144EUAFRAT106, Биполярный цифровой/смещение транзистор, AEC-Q101, -50 В, -100 мА, 47 кОм, 47 кОм, 1 соотношение
Производитель: Rohm, DTA144EUAFRAT106
• Соответствует требованиям AEC-Q101
SMMUN2214LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм, 0.21 соотношение, SOT-23
Производитель: ON Semiconductor, SMMUN2214LT1G
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR SPCL TR
MMBTA92, Биполярный транзистор, PNP, -300 В, 50 МГц, 350 мВт, -500 мА, 40 hFE
