ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFU725F/N1,115, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.8 В, 55 ГГц, 136 мВт, 25 мА, SOT-343F - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BFU725F/N1,115, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.8 В, 55 ГГц, 136 мВ…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFU725F/N1,115, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.8 В, 55 ГГц, 136 мВт, 25 мА, SOT-343F
Последняя цена
79 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы
РЧ биполярные транзисторы 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BFU725F/N1,115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1159079
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
2.8В
Рассеиваемая Мощность
136мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
25мА
DC Усиление Тока hFE
160hFE
Частота Перехода ft
55ГГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.3
Корпус РЧ Транзистора
SOT-343F
Тип транзистора
Bipolar
Pd - рассеивание мощности
136 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.2 mm
Категория продукта
РЧ биполярные транзисторы
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
40
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.04 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
10 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
2.8 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
0.55 V
Непрерывный коллекторный ток
40 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
RF Bipolar Transistors
Торговая марка
NXP Semiconductors
Упаковка / блок
SOT-343
Ширина
1.35 mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
160 at 10 mA at 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
55000 MHz
Технология
Si
Рабочая частота
55 GHz
Тип
RF Bipolar Small Signal
Техническая документация
Datasheet BFU725F/N1,115 , pdf
, 137 КБ
Datasheet BFU725F/N1.115 , pdf
, 104 КБ