ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFU710F,115, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.8 В, 43 ГГц, 136 мВт, 2 мА, SOT-343F - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BFU710F,115, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.8 В, 43 ГГц, 136 мВт,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFU710F,115, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.8 В, 43 ГГц, 136 мВт, 2 мА, SOT-343F
Последняя цена
98 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BFU710F,115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1159078
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
2.8В
Рассеиваемая Мощность
136мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
2мА
DC Усиление Тока hFE
200hFE
Частота Перехода ft
43ГГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.3
Корпус РЧ Транзистора
SOT-343F
Техническая документация
Datasheet BFU710F,115 , pdf
, 127 КБ