ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFU590QX, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 8 ГГц, 2 Вт, 200 мА, SOT-89 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BFU590QX, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 8 ГГц, 2 Вт, 200 мА,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFU590QX, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 8 ГГц, 2 Вт, 200 мА, SOT-89
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BFU590QX
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1159076
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
12в
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
200ма
DC Усиление Тока hFE
60hFE
Частота Перехода ft
8ГГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.109
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Корпус РЧ Транзистора
SOT-89
Тип транзистора
Bipolar Wideband
Pd - рассеивание мощности
2000 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
РЧ биполярные транзисторы
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
60
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
300 mA
Минимальная рабочая температура
40 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
24 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
16 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
2 V
Непрерывный коллекторный ток
80 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
RF Bipolar Transistors
Торговая марка
NXP Semiconductors
Упаковка / блок
SOT89-3
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
130
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
8 GHz
Технология
Si
Рабочая частота
900 MHz
Тип
Wideband RF Transistor
Диапазон рабочих температур
40 C to + 150 C
Техническая документация
Datasheet BFU590QX , pdf
, 266 КБ
Datasheet BFU590QX , pdf
, 255 КБ
