ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFU580QX, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 10.5 ГГц, 1 Вт, 30 мА, SOT-89 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BFU580QX, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 10.5 ГГц, 1 Вт, 30 мА…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFU580QX, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 10.5 ГГц, 1 Вт, 30 мА, SOT-89
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BFU580QX
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1159075
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
12в
Рассеиваемая Мощность
1Вт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
30мА
DC Усиление Тока hFE
95hFE
Частота Перехода ft
10.5ГГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.3
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
BFU580Q Series
Корпус РЧ Транзистора
SOT-89
Тип транзистора
Bipolar Wideband
Pd - рассеивание мощности
1000 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
РЧ биполярные транзисторы
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
60
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
100 mA
Минимальная рабочая температура
40 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
24 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
16 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
2 V
Непрерывный коллекторный ток
30 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
RF Bipolar Transistors
Торговая марка
NXP Semiconductors
Упаковка
Reel, Cut Tape
Упаковка / блок
SOT89-3
Другие названия товара №
934067976115
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
130
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
10.5 GHz
Технология
Si
Рабочая частота
900 MHz
Тип
Wideband RF Transistor
Диапазон рабочих температур
40 C to + 150 C
Техническая документация
Datasheet BFU580QX , pdf
, 271 КБ
Datasheet BFU580QX , pdf
, 282 КБ
