ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFU520R, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 10.5 ГГц, 450 мВт, 5 мА, SOT-143B - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BFU520R, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 10.5 ГГц, 450 мВт, 5 м…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFU520R, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 10.5 ГГц, 450 мВт, 5 мА, SOT-143B
Последняя цена
80 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BFU520R
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1159067
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
12в
Рассеиваемая Мощность
450мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
5мА
DC Усиление Тока hFE
95hFE
Частота Перехода ft
10.5ГГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.3
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
BFU520 Series
Корпус РЧ Транзистора
SOT-143B
Тип транзистора
Bipolar Wideband
Pd - рассеивание мощности
450 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
РЧ биполярные транзисторы
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
60
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
50 mA
Минимальная рабочая температура
40 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
24 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
16 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
2 V
Непрерывный коллекторный ток
5 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
RF Bipolar Transistors
Торговая марка
NXP Semiconductors
Упаковка
Reel, Cut Tape
Упаковка / блок
SOT143B-4
Другие названия товара №
934067702215
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
10.5 GHz
Технология
Si
Рабочая частота
900 MHz
Тип
Wideband RF Transistor
Диапазон рабочих температур
40 C to + 150 C
Техническая документация
Datasheet BFU520R , pdf
, 305 КБ
Datasheet BFU520R , pdf
, 313 КБ
